日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D

產(chǎn)品型號：

所屬分類：其他設(shè)備

產(chǎn)品時間：2025-08-04

簡要描述：日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D
D，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，徑向和軸向電阻器的分揀機和編帶機的理想選擇

詳細說明：

日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D

D，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，?徑向和軸向電阻器的?分揀機和編帶機的理想選擇

校準后180天[校準后1年：1.5倍]的測量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23°C±5°C）

日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D

測量范圍	標準值設(shè)定范圍	實測電流	測量精度^*
測量范圍	標準值設(shè)定范圍	實測電流	慢	快速
100毫歐	5mΩ-100mΩ	100毫安	≤±0.02％±2a±2d	≤±0.03％±3a±2d±[2 /（1 + n）] d
1Ω	100.1mΩ?1Ω	100毫安	在±0.02％±a±1d之內(nèi)	≤±0.02％±a±2d±[2 /（1 + n）] d
10Ω	1.001Ω?10Ω	50毫安	在±0.02％±a±1d之內(nèi)	≤±0.02％±a±2d±[2 /（1 + n）] d
100Ω	10.01Ω-100Ω	10毫安	±0.02％±1d以內(nèi)	在±0.02％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
1kΩ	100.1Ω?1kΩ	5毫安
10kΩ的	1.001kΩ?10kΩ	0.5毫安
100kΩ的	10.01kΩ-100kΩ	50微安
1兆歐	100.1kΩ?1MΩ	5微安		在±0.05％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
10兆歐	1.001MΩ?10MΩ	0.5微安	±0.03％±1d以內(nèi)	在±0.2％±4d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
100兆歐	10.01MΩ?109MΩ	0.05微安	±0.1％±2d以內(nèi)	───

* D =數(shù)字，n =積分時間（毫秒），％測量：α=（100 /標準設(shè)定值mΩ）x 0.01％，值測量：α= 0（加±1d）
*完整屏蔽狀態(tài)下的精度

測量時間	外部啟動		自由奔跑
	慢	快速	慢	快速
	大約18毫秒-400毫秒	大約0.7毫秒-400毫秒	約30次/秒? 約2次/秒	約60次/秒? 約2次/秒

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