在半導體制造領(lǐng)域，“潔凈" 是貫穿全流程的核心準則 —— 從晶圓清洗、薄膜沉積到光刻蝕刻，每一個環(huán)節(jié)對環(huán)境與物料的純度要求都達到了納米級甚至原子級標準。其中，工藝氣體的濕度管控尤為關(guān)鍵：即使微量水汽（露點溫度高于 - 60℃dp），也可能與硅晶圓發(fā)生化學反應(yīng)生成氧化層，導致芯片電路短路；或在低溫工藝中凝結(jié)成微小液滴，破壞光刻膠涂層精度；更可能與特種工藝氣體（如氨氣、硅烷）反應(yīng)生成雜質(zhì)顆粒，直接影響芯片良率。TEKHEN 防爆露點傳感器 TK-100TR-EX 憑借其高精度、高穩(wěn)定性與適配性，成為半導體制造中氣體濕度管控的 “精準衛(wèi)士"。
一、半導體制造對氣體濕度的嚴苛要求：為何必須精準控濕？
半導體制造中，工藝氣體（如氮氣、氧氣、氫氣、氬氣等）不僅是載氣、保護氣，更是部分制程的核心原料，其濕度水平直接關(guān)聯(lián)三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)：
晶圓氧化與腐蝕防控：硅晶圓是半導體芯片的基底，在高溫沉積或清洗工藝中，若氣體中水汽含量超標（露點＞-50℃dp），水汽會與硅表面發(fā)生氧化反應(yīng)生成 SiO?薄膜。這層 “意外氧化層" 會改變晶圓導電性能，導致后續(xù)電路圖案蝕刻偏差，甚至造成芯片功能失效。
光刻工藝精度保障：光刻環(huán)節(jié)需要在晶圓表面涂覆光刻膠，并通過紫外線曝光形成電路圖案。若環(huán)境或載氣中存在微量水汽，會使光刻膠涂層出現(xiàn) “針孔" 或 “氣泡"，曝光后電路邊緣模糊，無法滿足 7nm、5nm 等先進制程的線寬精度要求。
設(shè)備與工藝穩(wěn)定性維護：半導體制造設(shè)備（如氣相沉積設(shè)備、離子注入機）的內(nèi)部腔體為高真空或高壓環(huán)境，若氣體攜帶水汽進入，可能在腔體壁凝結(jié)成液滴，與腔體金屬材質(zhì)反應(yīng)生成銹蝕顆粒；同時，水汽還可能與工藝氣體（如硅烷 SiH?）反應(yīng)生成固態(tài)硅氧化物，堵塞氣體管路或噴嘴，導致設(shè)備停機維護，增加生產(chǎn)成本。
據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，因氣體濕度管控不當導致的半導體芯片良率下降，平均會使企業(yè)生產(chǎn)成本增加 15%-20%。因此，選擇一款能滿足 “高精度、寬適配、高可靠" 的露點監(jiān)測設(shè)備，是半導體制造企業(yè)的必然需求。
二、TEKHEN TK-100TR-EX 傳感器：匹配半導體需求的核心技術(shù)優(yōu)勢
針對半導體制造的高潔凈、高穩(wěn)定性要求，TEKHEN TK-100TR-EX 防爆露點傳感器從測量精度、適配性、安全性等維度進行了專項優(yōu)化，契合工藝場景需求：
1. 超寬量程 + 高精度，覆蓋全流程濕度監(jiān)測需求
半導體制造不同環(huán)節(jié)對氣體露點的要求差異較大：例如晶圓清洗環(huán)節(jié)需控制露點≤-40℃dp，而先進光刻環(huán)節(jié)則要求露點≤-70℃dp。TEKHEN TK-100TR-EX 的測量范圍覆蓋 **-100℃~+20℃dp**，不僅能滿足半導體全流程的濕度監(jiān)測需求，更能精準捕捉微量水汽變化 —— 其測量精度達**±2℃dp**，在 - 60℃~-20℃dp（半導體核心管控區(qū)間）的精度偏差可控制在 ±1.5℃dp 內(nèi)，確保數(shù)據(jù)真實反映氣體濕度狀態(tài)，為工藝調(diào)整提供可靠依據(jù)。
同時，該傳感器采用電容法測量原理，檢測元件通過吸附水汽改變電容值，響應(yīng)速度快（從 - 60℃dp 階躍到 - 30℃dp 的響應(yīng)時間＜10 秒），能實時追蹤氣體濕度波動，避免因滯后性導致的管控失準。
2. 寬壓 + 寬流量適配，兼容半導體復雜工藝環(huán)境
半導體制造中，工藝氣體的輸送壓力與流量因設(shè)備不同差異顯著：例如氣相沉積設(shè)備的氣體壓力可達 10MPa，而載氣輸送流量通?？刂圃?1~5L/min。TEKHEN TK-100TR-EX 具備10??Pa~30MPa的超寬工作壓力范圍，既能適配高真空的離子注入機，也能滿足高壓工藝設(shè)備的監(jiān)測需求；流量適配性同樣出色 —— 采用傳感器塊時支持1~20L/min流量，直接插入式安裝支持0.5~10m/s流速，無需額外調(diào)整工藝氣體參數(shù)，即可無縫集成到現(xiàn)有氣體管路中。
此外，傳感器的檢測元件采用惰性材料封裝，與半導體常用工藝氣體（氮氣、氬氣、氫氣等）無化學反應(yīng)，且表面經(jīng)過特殊鍍膜處理，不易吸附粉塵或有機雜質(zhì)，契合半導體行業(yè)的高潔凈標準，避免對工藝氣體造成二次污染。
3. 本質(zhì)安全型防爆設(shè)計，適配潔凈車間安全規(guī)范
雖然半導體潔凈車間以惰性氣體為主，但部分工藝（如氫氣退火）會使用易燃易爆氣體，且車間內(nèi)存在大量精密電氣設(shè)備，對監(jiān)測設(shè)備的安全性要高。TEKHEN TK-100TR-EX 獲得日本 TIIS 防爆認證，可與絕緣屏障組合構(gòu)成本質(zhì)安全型防爆系統(tǒng)，能用于0 區(qū)危險場所（氣體持續(xù)或長時間存在的區(qū)域），即使在氫氣泄漏等場景下，也不會產(chǎn)生電火花引發(fā)安全事故，為潔凈車間的安全生產(chǎn)提供雙重保障。
4. 標準化信號輸出，便于與工藝控制系統(tǒng)聯(lián)動
半導體制造依賴自動化控制系統(tǒng)（如 PLC、DCS）實現(xiàn)工藝參數(shù)的實時調(diào)控。TEKHEN TK-100TR-EX 提供4-20mA 模擬信號輸出，可直接接入車間現(xiàn)有控制系統(tǒng)，無需額外加裝信號轉(zhuǎn)換器；同時支持 12~28VDC 寬電壓供電，功耗≤1W，不會對車間供電系統(tǒng)造成負擔。工作人員可通過控制系統(tǒng)實時查看氣體露點數(shù)據(jù)，當濕度超標時，系統(tǒng)可自動觸發(fā)報警或調(diào)整除濕設(shè)備，實現(xiàn) “監(jiān)測 - 預警 - 調(diào)控" 的閉環(huán)管理。
三、TEKHEN TK-100TR-EX 在半導體制造中的典型應(yīng)用場景
憑借上述技術(shù)優(yōu)勢，TEKHEN TK-100TR-EX 已在半導體制造的多個核心環(huán)節(jié)實現(xiàn)成熟應(yīng)用，為工藝穩(wěn)定與良率提升提供支持：
1. 工藝氣體輸送管路監(jiān)測
在半導體工廠的中央氣體供應(yīng)系統(tǒng)（CGS）中，工藝氣體從儲罐輸送到各設(shè)備的管路長達數(shù)十米，若管路接頭密封不嚴，可能導致外界濕氣滲入。將 TEKHEN TK-100TR-EX 安裝在管路關(guān)鍵節(jié)點（如設(shè)備入口前），可實時監(jiān)測氣體露點變化：當露點高于設(shè)定閾值（如 - 50℃dp）時，系統(tǒng)立即報警，工作人員可及時排查泄漏點，避免不合格氣體進入設(shè)備。
2. 光刻膠涂覆與曝光環(huán)節(jié)濕度管控
光刻環(huán)節(jié)對環(huán)境與載氣濕度的要求最為嚴苛，若載氣（通常為氮氣）中水汽超標，會直接影響光刻膠的涂覆均勻性。在光刻設(shè)備的載氣入口處安裝 TEKHEN TK-100TR-EX，可實時監(jiān)測氮氣露點，確保其穩(wěn)定控制在 - 70℃dp 以下；同時，傳感器數(shù)據(jù)可與光刻設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)聯(lián)動，當濕度波動時，自動調(diào)整除濕裝置功率，避免因濕度變化導致的光刻偏差。
3. 晶圓退火工藝的氫氣濕度監(jiān)測
部分半導體工藝（如硅晶圓退火）需使用氫氣作為保護氣，以防止晶圓氧化。氫氣屬于易燃易爆氣體，且其濕度若超標（露點＞-40℃dp），會在高溫下與晶圓表面反應(yīng)生成雜質(zhì)。TEKHEN TK-100TR-EX 的防爆設(shè)計可確保在氫氣環(huán)境中安全運行，同時精準監(jiān)測氫氣露點，保障退火工藝的穩(wěn)定性，減少晶圓表面缺陷。
四、本土化服務(wù) + 標準溯源，為半導體企業(yè)提供長期保障
除產(chǎn)品性能外，TEKHEN 還為半導體企業(yè)提供全周期服務(wù)支持：該傳感器采用國內(nèi)開發(fā)、制造、校準模式，可追溯至國家標準（中國計量科學研究院校準），確保數(shù)據(jù)的準確性與一致性；同時，TEKHEN 擁有專業(yè)的技術(shù)團隊，可根據(jù)半導體企業(yè)的工藝需求提供定制化安裝方案（如潔凈室專用支架、防干擾布線設(shè)計），并提供上門校準服務(wù)，避免因傳感器校準導致的設(shè)備停機時間。
對于半導體制造企業(yè)而言，TEKHEN TK-100TR-EX 不僅是一款高精度的露點監(jiān)測設(shè)備，更是工藝穩(wěn)定、良率提升的 “可靠伙伴"—— 通過精準管控氣體濕度，從源頭減少因水汽導致的工藝缺陷，助力企業(yè)在先進制程競爭中占據(jù)優(yōu)勢。
